starken Laser Research Report
10 um breite Rippe Laser im Dauerbetrieb Wärmewiderstand im Bereich von 6.5-11k-cm2 / kW. Dieser Wert ist höher als in einer dickeren Beschichtung Gitterschicht (es liegen keine Verkleidungszwischen) laserpointer 2000mw . Dies deutet darauf hin, dass, InAs Band ein Potential, um die inter-Kaskadenlaser Wärmeableitung zu verbessern.
Laser im Pulsbetrieb mit einer großen Fläche des schmalen Grat Halbleiterlaser hat eine ähnliche Grenztemperatur, bis 376 K. Jedoch Temperaturen unter 320K, stieg die Stromschwelle 45-71%. In 3-4μm Kurzwellenbereich, mit einem schmalen Grat zwischen Kaskadenlaser Schwelle von 21% über dem Breitstreifenlaser.
Die Forscher berichten, "die Schwellenstromdichte eines Wafers 15 von großflächigen laserpointer grün R140 Jth = 247A / cm2, bei einer Temperatur von 300 K Wellenlänge von 4.6μm, einem mittleren Infrarot-Halbleiterlaser mit einer Wellenlänge niedrigste Schwellenwert gemeldet. Weitere 10 in der Wafer R144 Temperaturen von bis zu 377K Laserwellenlänge in der Nähe von 5.1μm. ist das Wellenlängenband zwischen elektrisch gepumpte Laser berichtet die höchste Betriebstemperatur. "
Das Team schrieb: "Wie unvollkommen Passivierung, eine große Menge an Leckstrom von der Seitenwand, so dass Leckage kann durch Reduktion der Oberfläche eine bessere Leistung erzielt werden kann." Wenn die laserpointer kaufen Temperatur des 310K schmalen Grat Lasermodenspringen viel, was anzeigt, dass das Material nicht Gleichförmigkeit ist ein Problem.
10 Laserbetriebsspannung niedrig ist, eine höhere Temperaturbeständigkeit zu erzielen. 10 Laser bei einer Temperatur von 300 K, die Ausgangsleistung eines jeden Kristallfläche 1.6mW zu erzielen. Eingangsleistung ist geringer als der Schwellenwert 0.52W. Gallium (GaSb) zwischen Kaskaden-Laser mit einer kürzeren Wellenlängenbereich von 3-4μm erreichen niedrigere Eingangsleistung. Die Forscher sagten, dass sie zunächst InAs Substraten von IC-Laser versuchen, ein Ergebnis Verkleidungszwischen ermutigt ergattern.
10--12 Richter-Skala Bereich Halbleiterlaser charakteristischen Temperatur T0, Driftschwellenverschiebung stellt 46 bis 57 K, mit fortschrittlichen GaSb-Basisband-Kaskaden-Laser Schwelle zwischen 3-4μm Wellenlängenbereich Verschiebung Drift par. Schmalen Grat-Laser mit der goldenen Kuppel des Kontaktüberzug 4 um zu testen die Leistung eines Dauerstrich. 10-12 laserpointer 200mw Wellenlängenbereich von 4.6-4.9μm.
