starken Laser Research Report
10 um breite Rippe Laser im Dauerbetrieb W?rmewiderstand im Bereich von 6.5-11k-cm2 / kW. Dieser Wert ist h?her als in einer dickeren Beschichtung Gitterschicht (es liegen keine Verkleidungszwischen)?laserpointer 2000mw?. Dies deutet darauf hin, dass, InAs Band ein Potential, um die inter-Kaskadenlaser W?rmeableitung zu verbessern.
Laser im Pulsbetrieb mit einer gro?en Fl?che des schmalen Grat Halbleiterlaser hat eine ?hnliche Grenztemperatur, bis 376 K. Jedoch Temperaturen unter 320K, stieg die Stromschwelle 45-71%. In 3-4μm Kurzwellenbereich, mit einem schmalen Grat zwischen Kaskadenlaser Schwelle von 21% ?ber dem Breitstreifenlaser.
Die Forscher berichten, "die Schwellenstromdichte eines Wafers 15 von gro?fl?chigen?laserpointer gr?n?R140 Jth = 247A / cm2, bei einer Temperatur von 300 K Wellenl?nge von 4.6μm, einem mittleren Infrarot-Halbleiterlaser mit einer Wellenl?nge niedrigste Schwellenwert gemeldet. Weitere 10 in der Wafer R144 Temperaturen von bis zu 377K Laserwellenl?nge in der N?he von 5.1μm. ist das Wellenl?ngenband zwischen elektrisch gepumpte Laser berichtet die h?chste Betriebstemperatur. "
Das Team schrieb: "Wie unvollkommen Passivierung, eine gro?e Menge an Leckstrom von der Seitenwand, so dass Leckage kann durch Reduktion der Oberfl?che eine bessere Leistung erzielt werden kann." Wenn die?laserpointer kaufen?Temperatur des 310K schmalen Grat Lasermodenspringen viel, was anzeigt, dass das Material nicht Gleichf?rmigkeit ist ein Problem.
10 Laserbetriebsspannung niedrig ist, eine h?here Temperaturbest?ndigkeit zu erzielen. 10 Laser bei einer Temperatur von 300 K, die Ausgangsleistung eines jeden Kristallfl?che 1.6mW zu erzielen. Eingangsleistung ist geringer als der Schwellenwert 0.52W. Gallium (GaSb) zwischen Kaskaden-Laser mit einer k?rzeren Wellenl?ngenbereich von 3-4μm erreichen niedrigere Eingangsleistung. Die Forscher sagten, dass sie zun?chst InAs Substraten von IC-Laser versuchen, ein Ergebnis Verkleidungszwischen ermutigt ergattern.
10--12 Richter-Skala Bereich Halbleiterlaser charakteristischen?Temperatur?T0, Driftschwellenverschiebung stellt 46 bis 57 K, mit fortschrittlichen GaSb-Basisband-Kaskaden-Laser Schwelle zwischen 3-4μm Wellenl?ngenbereich Verschiebung Drift par. Schmalen Grat-Laser mit der goldenen Kuppel des Kontakt?berzug 4 um zu testen die Leistung eines Dauerstrich. 10-12 laserpointer 200mw Wellenl?ngenbereich von?4.6-4.9μm.